以α-Si3N4、β-Si3N4、MgO、Y2O3为原材料,利用以水为分散介质的水基干压成型工艺在不同温度(1 750,1 850℃)下烧结制备高导热氮化硅陶瓷,研究了不同烧结温度下陶瓷的结构、力学性能和热导率,并与以无水乙

以Yb2O3和Al2O3为烧结助剂,研究气压一步烧结和两步烧结工艺对Si3N4陶瓷结构件微观形貌、力学性能的影响。结果表明:一步烧结长时间保温可以减少样品内部孔隙,但是会导致β-Si3N4晶粒异常长大,恶化部分力学性能。采用

氮化硅(Si3N4)陶瓷被称为理想的“轴承材料”,由该材料制备的氮化硅陶瓷轴承球可提高轴承的性能,现已广泛应用于各种高精度高转速机床、地铁、航天发动机和石油化工机械等领域。介绍了氮化硅陶瓷球的发展历程,简述了氮化硅陶瓷球国内

以TiN作为导电添加相,成功制备出Si3N4基防静电陶瓷球,研究了TiN对Si3N4基陶瓷球致密化、显微结构、力学性能及电阻率的影响。结果表明:大量TiN的加入阻碍了Si3N4的致密化,降低了Si3N4基陶瓷的抗弯强度、维氏

陶瓷膜具有优异的化学稳定性、热稳定性和耐污染性,机械强度高、易清洗、寿命长,在油水分离领域引起了研究人员的广泛关注.分离油包水乳液常选用疏水陶瓷膜,对陶瓷膜进行疏水改性可赋予其特殊润湿性能,增强油水分离能力.本文根据近年来陶

通过化学气相渗透技术,在中间相沥青基石墨泡沫内部沉积了碳化硅涂层;研究了不同沉积温度对碳化硅形貌、晶体结构和强度的影响。结果表明,1223 K可以制备完整的碳化硅涂层,沉积速率较慢,晶粒尺寸较小;温度超过1423 K,易在石

采用等离子增强化学气相沉积方法在p型<100>硅片沉积氮化硅薄膜,通过椭偏仪和缓冲氧化物刻蚀液(BOE)溶解实验来表征薄膜的均匀性与致密度,研究了射频功率、腔室气压、气体流量比和衬底温度4个工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响。结

为了研究工业炭黑对多相结合碳化硅耐火材料性能的影响,采用碳化硅颗粒(3-1和1-0.088 mm)和细粉(<0.088 mm)、硅粉(<以0.088mm）、工业炭黑（N990）、微硅粉（d50=0.26μm）和ρ

电解水制氢是极具发展应用前景的绿色技术,使用低成本碳材料负载贵金属作为催化剂基底,是减小析氢催化剂贵金属负载量和优化其性能的有效手段。采用配位聚合法,通过调控pH得到了由纳米片自组装形成的具有高比表面积的前驱体微球,再通过离

电解水制氢是极具发展应用前景的绿色技术,使用低成本碳材料负载贵金属作为催化剂基底,是减小析氢催化剂贵金属负载量和优化其性能的有效手段。采用配位聚合法,通过调控pH得到了由纳米片自组装形成的具有高比表面积的前驱体微球,再通过离