编号：FTJS107202
篇名： 惰性碳源对两步反应烧结碳化硅陶瓷组织和性能的影响
作者： 潘鑫龙 张明君 王波 杨建锋
关键词： 反应烧结碳化硅 碳源 两步反应烧结 残余硅
机构：西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
摘要： 两步反应烧结可以降低反应烧结碳化硅中的残余硅含量,采用纳米炭黑为活性碳源,过量碳微球和金刚石分别为惰性碳源,通过两步反应烧结制备了碳化硅陶瓷,分析比较了两种惰性碳源的反应率,以及对碳化硅陶瓷力学性能和热学性能的影响。结果表明,在碳密度和烧结工艺条件相同的情况下,金刚石的反应率低于碳微球,制备的烧结体中残余硅较多。在1550℃保温6 h条件下,使用高硬度的金刚石为惰性碳源制备的碳化硅的显微硬度达(2488±133)HV,高于使用碳微球制备的碳化硅。但是由于使用金刚石为惰性碳源制备的烧结体中低导热的残余硅较多,导致使用金刚石制备碳化硅的导热系数较低,在1550℃保温6 h条件下为115 W·m-1·K-1,低于碳微球使用的碳微球。