采用共沉淀法制备出SnO2-LiZnVO4系湿敏粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4和环境的相对湿度(RH)对材料伏安特性的影响。实验结果表明,LiZnVO4的添加量和环境的相对湿度(RH)对材料伏安特性有较大影响。当LiZn

以碳化硅粉、氧化铝、高岭土为主要原料,采用有机泡沫浸渍法制备出碳化硅泡沫陶瓷坯体,经原位合成反应法在碳化硅泡沫陶瓷内生成莫来石晶须,研究反应温度对莫来石晶须合成的影响,以及莫来石的理论设计含量对泡沫陶瓷的抗压强度和抗热震性能

以摩尔比为2∶1.2∶1的Cr、Al和C粉末为反应原料,在温度为700～1450℃时反应合成Cr2AlC陶瓷。利用差热分析方法测定原始粉末在热反应时的特征温度,并利用X射线衍射对反应产物进行物相分析。结果表明,700～125

以77mol%Al2O3和23mol%Gd2O3的共晶配比混粉,以高温等离子为热源,加热粉体使其熔融,随后以空冷和水冷的不同冷却方式实现凝固,得到不同的冷凝试样。采用X射线衍射仪和场发射扫描电镜对试样的相组成和微观形貌进行表

以日本Tosoh纳米氧化锆粉体为原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术及无压烧结技术制备了氧化锆纳米陶瓷。运用TEM﹑SEM﹑XRD等对粉体和块体进行分析,比较无压烧结及不同SPS烧结温度的样品显微结构及力学性能。结果表明:

以高纯工业MgO粉体为原料,经过不同的温度煅烧处理后,添加混合稀土金属氧化物为烧结助剂,并将粉体压制成型后,采用无压烧结方法制备致密的MgO陶瓷。对试样进行XRD测试和断口SEM观察,分析煅烧温度、烧结助剂添加量和升温速率对

以固相法合成了铌酸钾钠(KxNa1-xNbO3)粉体,采用常压烧结制备了铌酸钾钠无铅压电陶瓷,研究了粉体相组成,烧结温度,极化电压与陶瓷致密度、电学性能的关系。结果表明:当x=0.5,烧结温度为1050℃,极化电压为3kV/

以不同配比的粗、细SiC粉体和WC粉体为原料,在2 200℃以上烧结得到RSiC-WC复相陶瓷。采用XRD、SEM和EDS对复相陶瓷的物相组成和微观形貌进行分析,并测定其开口气孔率、抗弯强度和电阻率。结果表明:RSiC-WC

采用经过不同球磨时间制备的硼硅玻璃与氧化铝复合,低温烧结制备了硼硅玻璃/氧化铝系复相陶瓷。利用XRD和SEM,研究了硼硅玻璃粉料球磨时间对流延成型及所制复相陶瓷的烧结性能、介电性能(10 MHz)的影响。结果表明:随着球磨时

以低纯度的工业级Si粉为原料,通过添加氧化锆,反应烧结制备氮化硅陶瓷材料,加入10%(质量分数)的氧化锆试样在4h的氮化时间内其氮化率相对于没有加入添加剂的试样从43%增加到94%以上,在1000℃,24h的氧化实验下,在氧