编号：TCHY00110
篇名： RSiC-WC复相陶瓷的性能及烧结机理
作者： 李青； 肖汉宁； 高朋召； 胡继林； 郭文明； 汤杰雄；
关键词：RSiC-WC复相陶瓷； 再结晶； 烧结机理； 力学性能； 电学性能；
机构：湖南大学材料科学与工程学院；
摘要： 以不同配比的粗、细SiC粉体和WC粉体为原料,在2 200℃以上烧结得到RSiC-WC复相陶瓷。采用XRD、SEM和EDS对复相陶瓷的物相组成和微观形貌进行分析,并测定其开口气孔率、抗弯强度和电阻率。结果表明:RSiC-WC复相陶瓷中以6H-SiC和WC为主晶相,存在少量W2C晶相。烧结产物中SiC颗粒再结晶程度良好,WC在烧结温度下与SiC晶粒润湿性好。RSiC-WC复相陶瓷的最低开口气孔率、最高抗弯强度和最低电阻率分别为19.2%、109 MPa和15 m-.cm。体系中SiC晶粒生长遵循蒸发-凝聚的烧结机理,WC则以W-C液相在SiC晶粒界面处聚集,抑制了SiC晶粒的长大。高温下形成的W-C液相能明显降低复相陶瓷的开口气孔率,使烧结体致密化。因而,添加一定量的WC改善复相陶瓷的力学性能,并对其电学性能起到调节作用。