文章介绍了采用混凝沉淀与石英砂过滤组合工艺处理水性涂覆隔膜生产过程中产生的陶瓷废水具有良好的效果。经调试运行结果表明:当进水COD为630 mg/L、SS 2500 mg/L、色度600倍时、出水COD 271 mg/L,去

通过耐液性试验,研究了添加Al2O3对硼硅酸盐玻璃[70SiO2-(20-x)B2O3-xAl2O3-10Na2O,x=0、5、10、15、20,摩尔分数]的抗水、盐酸和氢氧化钠水溶液腐蚀性能的影响,讨论了铝硅酸盐玻璃在不同

以(Ba0.856Ca0.144)(Ti0.896Zr0.104)O3(BCZT)为载体,通过LaFeO3固溶取代来对BCZT的相结构和弛豫程度进行调控。系统地研究了组成变化对微观结构、介电、压电、铁电和电致伸缩特性的影响。

为研究钛酸铜钙的电子结构及变化对介电性能的影响规律,采用第一性原理密度泛函理论计算钛酸铜钙陶瓷的电子结构与光学介电函数,通过溶胶-凝胶法制备稀土铕掺杂改性的钛酸铜钙陶瓷。系统研究掺杂不同量铕对陶瓷晶体结构、微观形貌特征以及介

以铝酸钠溶液和工业石灰为原料在80℃条件下合成了铝酸三钙(TCA),并研究了碳碱浓度、分子比、溶出温度和时间等因素对TCA中氧化铝溶出性能的影响规律。通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和粒度分析对TCA以及溶出产物

采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论。PECVD法在连续沉积氮化硅薄膜时,薄膜的厚度、沉积速率、均一性以及致密度会

随着对氮化硅陶瓷研究的不断深入,其热学性能、介电性能有了极大的改善,使之可应用在电子器件等领域。总结了制备氮化硅陶瓷材料所使用的烧结助剂,包括氧化物烧结助剂、非氧化物烧结助剂和其他烧结助剂;比较了氮化硅陶瓷材料的烧结方式,包

微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemi

颗粒污染在集成电路制造工艺中会引起严重的缺陷,会对后续光刻对位造成影响,甚至会导致电路性能下降、使用寿命缩短。尤其是在深亚微米集成电路制造工艺中,颗粒污染对产品良率的影响就更为严重了。在炉管低压化学气相淀积(LPCVD)工艺

高温透波材料在航空航天飞行器的天线罩上有着广泛应用,随着激光武器的发展,对天线罩的激光防护性能提出了更高的要求。碳化硅陶瓷材料凭借其优异的机械性能和介电性能,已经成为透波材料的研究热点。本文针对碳化硅陶瓷的激光防护需求,对其