采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论。PECVD法在连续沉积氮化硅薄膜时,薄膜的厚度、沉积速率、均一性以及致密度会
2021年09月10日 更新随着对氮化硅陶瓷研究的不断深入,其热学性能、介电性能有了极大的改善,使之可应用在电子器件等领域。总结了制备氮化硅陶瓷材料所使用的烧结助剂,包括氧化物烧结助剂、非氧化物烧结助剂和其他烧结助剂;比较了氮化硅陶瓷材料的烧结方式,包
2021年09月10日 更新微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemi
2021年09月10日 更新颗粒污染在集成电路制造工艺中会引起严重的缺陷,会对后续光刻对位造成影响,甚至会导致电路性能下降、使用寿命缩短。尤其是在深亚微米集成电路制造工艺中,颗粒污染对产品良率的影响就更为严重了。在炉管低压化学气相淀积(LPCVD)工艺
2021年09月10日 更新高温透波材料在航空航天飞行器的天线罩上有着广泛应用,随着激光武器的发展,对天线罩的激光防护性能提出了更高的要求。碳化硅陶瓷材料凭借其优异的机械性能和介电性能,已经成为透波材料的研究热点。本文针对碳化硅陶瓷的激光防护需求,对其
2021年09月09日 更新采用新型振荡压力烧结技术制备高性能氮化硅陶瓷,并对比热压烧结技术,研究了不同工艺下氮化硅陶瓷的致密度、物相、晶粒尺寸、微观形貌及力学性能变化规律,分析了振荡压力对氮化硅陶瓷的致密化作用.结果表明:振荡压力烧结工艺下氮化硅陶瓷
2021年09月09日 更新多孔氮化硅天线罩表面涂层会对天线罩电性能产生重要影响。文中评估了表面涂层对多孔氮化硅材料介电性能的影响,通过对带/不带涂层天线罩的测试,比较了涂层喷涂前后天线罩透过率的性能,并在后续设计天线罩初始壁厚时,矫正掉涂层影响。通过
2021年09月08日 更新微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemi
2021年09月08日 更新氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共
2021年09月08日 更新氮化硅具有良好的介电特性(介电常数低、损耗低)、高绝缘性,高致密性的氮化硅对杂质离子有很好的阻挡能力。PECVD法工艺复杂,沉积过程的控制因素较多,沉积条件对介质薄膜的结构与性能有直接的影响。在PECVD淀积过程中必须对多个
2021年09月07日 更新
