采用新型振荡压力烧结技术制备高性能氮化硅陶瓷,并对比热压烧结技术,研究了不同工艺下氮化硅陶瓷的致密度、物相、晶粒尺寸、微观形貌及力学性能变化规律,分析了振荡压力对氮化硅陶瓷的致密化作用.结果表明:振荡压力烧结工艺下氮化硅陶瓷
2021年09月09日 更新多孔氮化硅天线罩表面涂层会对天线罩电性能产生重要影响。文中评估了表面涂层对多孔氮化硅材料介电性能的影响,通过对带/不带涂层天线罩的测试,比较了涂层喷涂前后天线罩透过率的性能,并在后续设计天线罩初始壁厚时,矫正掉涂层影响。通过
2021年09月08日 更新微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemi
2021年09月08日 更新氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共
2021年09月08日 更新氮化硅具有良好的介电特性(介电常数低、损耗低)、高绝缘性,高致密性的氮化硅对杂质离子有很好的阻挡能力。PECVD法工艺复杂,沉积过程的控制因素较多,沉积条件对介质薄膜的结构与性能有直接的影响。在PECVD淀积过程中必须对多个
2021年09月07日 更新高导热聚酰亚胺复合材料因具有良好的综合性能,在集成电子电路、航空航天等领域具有较好的发展前景。采用导热系数较高的氮化硅晶须和氮化铝颗粒作为无机填料,用钛酸酯偶联剂进行表面改性,原位合成氮化硅晶须/氮化铝颗粒聚酰亚胺(AlN/
2021年09月07日 更新利用等离子弧喷焊技术，以纯Ti粉与Ni60粉的混合粉末作为喷焊材料，在Q345钢表面制备原位碳化钛颗粒增强镍基喷焊层，研究了该喷涂层的微观组织与性能。结果表明，喷焊层中主要包含TiC、M23C6、M7C3、γ-Ni等相，微观
2021年09月02日 更新科技发展对材料性能提出越来越高的要求，通过对材料内部结构进行有序排列使其在特定方向上实现性能最佳发挥是目前解决高性能应用需求的一条行之有效的方式，传统单向冷冻技术无法实现二维有序结构的制备。通过双向冷冻方法制备了厘米级的单取
2021年09月02日 更新金属锂具有超高的理论容量(3860 mAh·g-1)和低氧化还原电位（-3.04 Vvs.标准氢电极），是极具吸引力的下一代高能量密度电池的负极材料。然而，循环过程中的体积膨胀、锂枝晶生长和“死锂”等问题严重的限制了其实际应
2021年09月02日 更新通过对比CAH10、C2AH8、C3AH6和NO3-AFm这四种常见铝酸盐水泥（CAC）水化产物与氯离子结合后的产物在高温和碳化前后特性变化，包括氯离子结合量、浸泡液pH、物相组成及微观形貌等，研究了温度和碳化对CAC水化产
2021年09月02日 更新
