编号：FTJS107611
篇名： 氮化反应烧结制备的高纯多孔Si3N4陶瓷在HF酸中的腐蚀行为
作者： 孙扬善；刘文进；张保连；蒋学鑫
关键词： 多孔氮化硅陶瓷; 氮化反应烧结; 氢氟酸腐蚀;
机构：安徽壹石通材料科技股份有限公司
摘要： 氮化硅（Si3N4）陶瓷材料具有优良的综合性能，因耐高温、抗腐蚀等优势在众多行业中应用前景广泛。本工作使用纯Si粉做原料，不添加任何烧结助剂，采用氮化反应烧结制备Si3N4陶瓷，并对该种方式下制备的孔隙率达30%的Si3N4陶瓷材料的抗酸腐蚀能力进行研究，探索HF浓度、腐蚀时间对Si3N4陶瓷样品的腐蚀行为、腐蚀规律。结果表明，纯Si粉氮化反应烧结制备的Si3N4陶瓷材料经HF腐蚀200 h后，随着HF浓度增大、腐蚀时间增加，陶瓷样品质量、密度、抗弯强度逐渐降低，气孔率增大。Si3N4陶瓷样品浸泡在HF中与之发生反应，生成（NH4）2Si F6相，并在样品表面形成疏松腐蚀层，陶瓷内部Si和N的损耗导致样品气孔增多、致密度降低，从而使得陶瓷样品性能降低。通过对反应烧结获得的多孔Si3N4陶瓷的抗酸腐蚀性能进行探索，为Si3N4陶瓷极端环境应用下的性能研究提供了参考。