编号：CYYJ043723
篇名： 硼含量对SiBCN陶瓷显微结构和电磁性能的影响
作者： 陈平安 洪思增 李享成 朱颖丽 陈浮
关键词： 聚合物陶瓷前驱体 分子结构 硅硼碳氮陶瓷 电磁波吸收性能
机构：武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室
摘要： 聚合物衍生陶瓷具有耐高温和介电性能可调等优点,在电磁波吸收材料领域展现出重要的应用潜力。通过调节聚硼硅氮烷中的硼含量,制备了具有优异电磁波吸收能力的SiBCN陶瓷。结果表明,硼能够有效抑制Si—N键的断裂和Si—C键的生成,阻止Si3N4的分解和SiC的生成,并促进非晶碳向石墨碳的转变,提高SiBCN陶瓷中石墨碳的比例。Si3N4、SiC和石墨碳等多种电介质晶体所产生的极化损耗,增强SiBCN陶瓷的电磁波吸收性能。当陶瓷中硼含量为5%(质量分数),厚度为3.5 mm时,最小反射损耗在8GHz处达到-55.67 dB。研究表明,通过调控聚合物陶瓷前驱体的原子组分,可以有效调节SiBCN陶瓷的物相组成和显微结构,对聚合物陶瓷的电磁波吸收性能优化提供了有效方法和策略。