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碳化硅陶瓷热导率影响因素研究
270 2024-06-18
编号:CYYJ04200
篇名: 碳化硅陶瓷热导率影响因素研究
作者: 马逸飞 李其松 黄权 贾少培 成晓哲 牛乾元 张艳丽 穆云超
关键词: 碳化硅陶瓷 热导率 杂质 气孔 晶界
机构:中原工学院材料与化工学院
摘要: 碳化硅陶瓷是一种应用广泛的高热导率材料。结合国内外研究,讨论了碳化硅陶瓷的导热机理和影响因素,认为杂质、气孔和晶界是影响碳化硅陶瓷热导率的主要因素,减少杂质、气孔和晶界有利于提高热导率。给出了制备高热导率碳化硅陶瓷的建议:提高碳化硅陶瓷致密度以减少气孔;增大碳化硅晶粒尺寸以减少晶界;在不降低致密度的前提下,降低烧结助剂含量、减少烧结助剂种类,且添加的烧结助剂不固溶进入碳化硅晶格、烧结助剂之间不反应形成结构复杂的低热导率相,烧结助剂容易结晶晶化,不残留或少残留玻璃相;添加高热导率第二相。
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