拜耳法是生产氧化铝最主要的工业方法,拜耳法氧化铝的生产过程会消耗大量的能量,大约占到产品成本的20%～30%,并且当前能源的价格在不断上涨,所以,在拜耳法氧化铝的生产过程中,控制好能耗能大大降低生产成本,增加企业的竞争力。

在氧化铝行业中，旋流器被广泛应用，在除砂、氢氧化铝的分级处理，以及磨矿、过滤、分解槽排空等工艺流程中都离不开旋流器的应用。既然旋流器的应用这么广泛，那么如何针对生产中的需求进行旋流器的选取显得尤为重要，本文通过对旋流器的一些

氧化铝可用作催化剂,也是催化剂的优良载体。文章论述了氧化铝在水热环境下发生的水合作用及危害,介绍了水合作用的原因,探讨了提高氧化铝抗水合性能的方法。最后指出深入、系统研究氧化铝水合的原因才是解决这一问题的根本。

碳化硅是一种宽带隙(2.3～3.3 eV)的半导体材料,具有良好的化学稳定性和导热性,同时它也具有优异的机械性能,如高强度、高硬度、耐摩擦等.因此,碳化硅纳米材料在功能陶瓷、光电工业、高温半导体工业、纳米复合材料、光催化领域

以ZrSiO4、Al2O3、高岭土为主要原料,长石等作为烧结助剂,在1220～1340℃之间制备出了致密的ZrSiO4-Al2O3(5～43 wt%Al2O3)复相陶瓷。研究了Al2O3含量、烧结温度对复相陶瓷显微结构及力学

利用自制的氧化槽,结合恒压二次氧化的方法制备出有序的氧化铝模板,每个氧化槽每次可以制备2～4个模板,而且制备步骤简化,极大提高了氧化铝模板的制备效率.采用恒压直流电沉积方法在制备的氧化铝模板的孔中成功组装出了钴纳米线阵列,并

碳化硼(B4C)是重要的超硬材料,B4C陶瓷是高性能的工程陶瓷材料,采用亚微米级超细粉体原料是制备碳化硼陶瓷良好性能的关键。本文采用砂磨工艺制备亚微米B4C超细粉体,对砂磨工艺的球料比、料水比和分散剂用量等工艺参数进行了考察

以硝酸钡和自制的二氧化钛悬浮液为原料,采用非均相共沉淀法合成了BaTi2O5前驱体粉体,然后将前躯体在一定温度下煅烧得到BaTi2O5无铅压电陶瓷粉体。对产物进行IR,XRD和SEM分析。结果表明:前躯体在1 100oC下煅

采用高能球磨法在800℃保温2h预烧合成MgNb2O6粉体,研究了MgNb2O6陶瓷的相结构、显微结构和微波介电性能随烧结温度的变化关系。实验结果表明,高能球磨法有效促进MgNb2O6粉体的低温合成,降低MgNb2O6陶瓷的

一维纳米材料在光学、电学、磁学等领域有着广阔的应用前景。采用二次阳极氧化法,结合逐级降压法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板,然后在其上交流电沉积了单晶镍纳米线阵列。利用SEM,XRD,TEM等对镍纳米线阵列的形貌和结构进行