中国粉体网讯 高纯碳化硅粉体作为制备碳化硅单晶衬底、高端特种陶瓷、导热材料等的关键基础原材料，其纯度、粒径、晶型等物化指标直接影响下游产品的质量与性能。当前，碳化硅在新能源汽车、光伏储能、5G通信、AI大数据、航空航天等领域快速渗透，市场应用空间持续拓展。

       为打通高纯碳化硅粉体上下游产业链壁垒，搭建产学研用深度协同创新交流载体，攻克行业共性技术瓶颈，推动产业降本增效、规模化高质量自主供应，2026全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会将于2026年11月26日在江苏苏州举办。嘉兴鬃晶科技有限公司作为参展单位邀请您共同出席。

公司于2023年成立，专注于高性能碳化硅与金刚石材料及装备解决方案。拥有一支经验丰富的技术研发团队和产业化团队，与中国科学院重庆绿色智能技术研究院、重庆邮电大学联合攻关，研发并攻克高纯碳化硅粉体合成技术，产品具有超高纯度(99.99999%及以上)、超低含氧量（＜0.3wt%）、粒径尺寸均一、晶型一致（3C\4H含量＞99.5%）等优势，已应用于高端陶瓷、导热填料、固态电池添加剂等高端领域，实现规模化销售。

       与中国科学院重庆绿色智能技术研究院共同研发金刚石单晶及复合热沉材料，在金刚石单晶和新型散热材料上取得重大进展，推出多款高端散热材料，成为解决高热流密度散热难题的理想选择，可满足不同领域对散热材料的严苛需求。

产品介绍

1、3C型β相碳化硅粉

产品介绍

β相碳化硅(3C型)为立方晶系低温相碳化硅，是半导体、陶瓷、、航空航天、核工业、电池等领域核心配套粉体材料。本产品采用自研高温热固法及化学气相沉积法(CVD)制备，具备纯度高、粒径可控、晶型纯正、超低氧含量、烧结活性优异、分散性好等核心特点，可全面适配航空航天、**、高端陶瓷、新能源电池、半导体、表面工程等多场景量产需求，可提供全系列标准化产品及定制化解决方案。

核心参数

1、高纯度(5N及以上)；

2、从纳米级至微米级精准定制，粒径0.3-200um；

3、3C相含量大于99.5%；

4、含氧量低至0.2wt%；

5、类球形形貌；

6、单晶颗粒粉料，具有更好的导热性、烧结致密性；

7、纯度、粒径、含氧量可按客户需求定制；

核心优势

高纯度

产品纯度在5N及以上，金属杂质ppm级管控(<1ppm)，满足高端场景严苛要求；

全粒径

从纳米级至微米级精准定制，类球形形貌;

晶型纯正

立方相3C-SiC占比99.5%以上，无杂相干扰，性能一致性强；

超低含氧量

含氧量低至0.2wt%，满足高性能陶瓷烧结；

批次稳定

量产级批次稳定，全流程溯源管控，解决下游量产批次波动痛点；

2、4H型a相碳化硅粉

产品介绍

α相碳化硅(4H/6H型)为六方晶系高温相碳化硅，是第三代半导体核心配套粉体材料，分为导电型和半绝缘型。本产品采用自研高温自蔓延合成法及化学气相沉积法(CVD)制备，具备纯度高、粒径可控、晶型纯正、超低含氧量、高温稳定(>2000°C)、导热/绝缘性优等核心特点，可全面适配半导体衬底、陶瓷密封件/轴承、导热基片等多场景量产需求，可提供全系列标准化产品及定制化解决方案。

核心参数

1、高纯度(4N及以上)；

2、纳米级至微米级精准定制；

3、4H纯度>99%；

4、超低含氧量＜0.5wt%（5000ppm）；

核心优势

高纯度

产品纯度在4N以上，金属杂质ppm级管控(<0.5ppm)，满足高端场景严苛要求

晶型纯正

独有工艺可实现4H单晶型占比高达99%以上，无杂相干扰，性能一致性强

超低含氧量

自主研发超低含氧量生产技术，含氧量低至0.5wt%，助力高性能高致密陶瓷烧结

全粒径

从纳米至亚微米级定制化生产，适配全场景应用

批次稳定

量产级批次稳定，全流程溯源管控，解决下游量产批次波动痛点

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会务组

       联系人：段湾湾
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