中国粉体网讯  近日，通辽市政协助力招商引资碳化硅产业园项目举行签约仪式。

仪式上，库伦旗人民政府与中科复材（吉林）科技有限公司进行了签约，项目内容主要涉及碳化硅粉体材料加工、碳碳复材加工以及碳碳复材刹车盘加工等。

据了解，碳化硅产业园项目由通辽市政协积极推进，项目总投资55亿元，占地270亩，分三期滚动投资建设，计划三年内全部达产。其中，一期投资5亿元，建设年产15万吨半导体级碳化硅粉体材料加工厂；二期投资25亿元，建设年产50万平方米碳碳复材加工厂；三期投资25亿元，建设年产30万套（件）碳碳复材刹车盘加工厂。

碳化硅：卓越的半导体材料

碳化硅是第三代半导体，因其理想的物理特性，相比传统半导体材料硅，在高能耗和极端环境中更具优势，碳化硅器件具备能耗更优，体积更小，高稳定性，适用于电动汽车、光伏逆变、航空航天、工业等领域。相比传统的硅材料，其优势在于：

• 高硬度与耐磨性：莫氏硬度为9.5，仅次于金刚石，是理想的耐磨材料。

• 高热导率：热导率（4.9W/cm·K）是硅的3倍，散热性能优越，适合高温环境。

• 高击穿电场强度（2-4MV/cm）：是硅的10倍，可承受更高电压、适用于高压器件。

• 宽禁带宽度：3.2eV，SiC-4H,可耐于600摄氏度以上温度，抗辐射性强。

• 高电子饱和速率：是硅的2倍，支持高频操作，如5G通信和雷达系统。

碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展。

来源：内蒙古自治区政协、粉体网

（中国粉体网编辑整理/空青）

注：图片非商业用途，存在侵权告知删除