编号：FTJS03151
篇名： KH-550硅烷偶联剂对半导体制造用碳化硅粉体表面的改性研究
作者： 李星； 铁生年；
关键词：碳化硅； 表面改性； 硅烷偶联剂； 分散性；
机构：青海大学非金属材料研究所；
摘要： 采用KH-550硅烷偶联剂对SiC粉体进行改性,研究了影响SiC粉体改性的各种因素,从而确定出改性最佳工艺参数,并对制备的改性粉体进行表征,分析了改性对SiC料浆分散稳定性的影响。结果表明,SiC微粉经偶联剂处理后没有改变原始SiC微粉的物相结构,只是改变了其在水中的胶体性质;微粉团聚现象减少,分散性得到改善;改性SiC微粉与原始SiC微粉相比,表面特性发生很大变化,Zeta电位值显著提高,悬浮液的分散稳定性得到明显改善。