编号：FTJS107338
篇名： 碳化硅衬底化学机械研磨机理
作者： 罗付；蔡长益；潘宏明；詹阳
关键词： 碳化硅; 化学机械平坦化; 抛光液; 抛光垫; 修整器;
机构：北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 化学机械平坦化（CMP）作为能够实现局部和全局平坦化的唯一方法，被广泛应用于碳化硅衬底加工中，其成本在碳化硅衬底加工中占30%～40%[1]。抛光液作为化学机械平坦化的主要耗材之一，不同抛光液的选取对平坦化的效果不同。为此针对不同磨料的碳化硅衬底抛光液进行对比，对二氧化铈抛光液机理进行分析，并针对二氧化铈抛光液耗材搭配进行研究。最后根据二氧化铈抛光液的特性选用不同硬度的抛光垫以及不同下压力的修整器进行搭配测试，并计算单片作业成本以及WPH（每小时可完成的晶圆加工数量）等指标。