编号：FTJS10238
篇名： 板式PECVD氮化硅薄膜工艺研究
作者： 邹臻峰 谢湘洲 赵增超
关键词： PECVD 氮化硅 薄膜
机构：湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本文采用微波等离子增强化学气相沉淀技术,在单晶硅衬体上高速沉积一层氮化硅薄膜。通过对比实验,系统研究了沉积压强、气体流量、微波功率、温度等工艺参数对氮化硅薄膜沉积速率、折射率的影响,分析其产生机理。通过优化氮化硅沉积的工艺参数,采用分步沉积氮化硅工艺,测试对比两者内量子效应和光谱反射率,得出分步沉积氮化硅工艺,在200~400 nm短波段,反射率更低,进一步降低了氮化硅薄膜对光的反射率。同时,在1000~1200 nm的长波段,内量子效应增强,表明提升氮化硅薄膜的钝化效果,最终实现晶硅太阳能电池效率提升0.1%,为优化生产工艺奠定了良好基础。