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碳化硅晶须生成机理研究
643 2022-02-23
编号:NMJS08164
篇名: 碳化硅晶须生成机理研究
作者: 何天颖 白建光 赵强 梁利东 黄传卿 黄瑞 王润星
关键词: SIC晶须 烧结温度 保温时间 层片堆积状组织 柱状堆积组织
机构:陕西科技大学材料科学与工程学院 卧龙电气南阳防爆集团股份有限公司 中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队
摘要: 研究了反应温度及时间对宁夏灵武地区煤泥和石英砂反应过程影响,探讨了SiC晶须生成机理.结果发现反应生成SiC晶须主要有纳米晶须、珠串状结构、层片堆积状和柱状堆积几种形貌,晶须生成取决于物质传输距离.烧结温度升高和保温时间的延长促使了纳米SiC晶须和珠串状形貌演变为层片堆积状和柱状堆积形貌.本文研究成果对于煤泥在SiC陶瓷方面应用提供了技术依据和理论支持,实现了煤泥在高性能陶瓷方面应用.
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