为了研究Ni-W-P-Si3N4化学复合镀层在高速钢刀具上应用的可行性,对比研究了Ni-W-P合金化学镀层与Ni-W-P-Si3N4化学复合镀层的摩擦磨损性能.利用Quanta200型扫描电子显微镜观察了镀层形貌,用VMHT

高效非贵金属催化剂对于推进析氢反应(HER)的大规模工业化至关重要.碳化钼(Mo2C)因其类似铂的能带密度和优良的中间产物吸附特性,有望替代贵金属基材料成为具有前景的催化剂.然而,它在常规制备过程中存在严重的晶体过度生长和团

通过低压烧结制备了Ti(C,N)基金属陶瓷,研究了氮化硼(BN)含量对Ti(C,N)基金属陶瓷微观组织和力学性能的影响。研究结果表明,烧结后的金属陶瓷微观组织呈现出典型的芯环结构。随着BN含量的增加,Ti(C,N)基金属陶瓷

以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的

环氧树脂(epoxy resin, EP)以其粘附力强、绝缘性能好等优点,在电气领域中得到广泛应用。但环氧树脂的低热导率限制其在器件中的使用,尤其在高频条件下。文中通过多巴胺改性微米氮化硼和纳米氧化铝,将制备的微纳米二元填料

以熔盐法制备了片状氧化铝、以喷雾干燥法制备了球形氮化硼,以二者为填料、二甲基硅油为基体制备了导热膏。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射仪对制备的粉体进行了表征,研究了片状氧化铝和球形氮化硼的添加量对提升导热膏的导

颗粒污染在集成电路制造工艺中会引起严重的缺陷,会对后续光刻对位造成影响,甚至会导致电路性能下降、使用寿命缩短。尤其是在深亚微米集成电路制造工艺中,颗粒污染对产品良率的影响就更为严重了。在炉管低压化学气相淀积(LPCVD)工艺

通过对比分析普通石膏模注浆成形、微压注浆成形、振动注浆成形3种成形工艺在氮化结合碳化硅脱硫喷嘴成形过程中的优缺点,以及3种成形工艺坯体密度和试样抗弯强度变化,确定了氮化硅结合碳化硅最佳成形工艺。同时深入研究了振动时间对振动注

以α-Si3N4粉为原料,纳米级Y2O3和Al2O3为烧结助剂,采用气压烧结工艺制备氮化硅陶瓷球,研究了烧结助剂含量对氮化硅陶瓷球致密化及力学性能的影响。结果表明:随着烧结助剂含量的增加,氮化硅陶瓷球的相对密度逐渐增大,维氏

面对日益匮乏的陶瓷原料,利用固体废弃物来制备发泡陶瓷已是当今趋势。以粉煤灰为主要原料,研究铬渣掺量、碎玻璃掺量和粉磨工艺对粉煤灰发泡陶瓷的影响。结果表明,掺入适量的铬渣可改善粉煤灰发泡陶瓷的性能,小掺量的碎玻璃对粉煤灰发泡陶