采用KH-550硅烷偶联剂对SiC粉体表面进行改性,得到了改性最佳工艺参数,分析了表面改性对SiC浆料分散稳定性的影响。结果表明:SiC微粉经硅烷偶联剂处理后没有改变原始SiC微粉的物相结构,只改变了其在水中的胶体性质;减少
2011年06月13日 更新利用减压等离子体活性烧结制备了碳化硅涂层。研究了不同等离子体气流流量、真空室压力、电源功率、基板距离等工艺参数组合对涂层质量的影响规律。通过正交实验确定了优化工艺参数组合,在Φ50mm以及50×50mm的较大石墨基板上获得了
2011年06月09日 更新在纳米炭黑中添加微米碳化硅制备了一种新型的复合吸收剂,并进行形貌表征、导电性能和微波吸收性能的测试。测试结果表明:加入碳化硅使得炭黑/环氧树脂复合涂层体电阻率和渗流阈值降低;炭黑含量较小时,加入碳化硅能有效提高涂层的反射衰减
2011年05月27日 更新研究了合成条件对制备多孔阳极氧化铝膜(AAO)的影响,电压和电解液温度对AAO的形成及孔径的有序度影响显著,40V电压下模板孔的规则性及有序性较优;电解液温度不宜超过25℃;二次阳极氧化及适当扩孔比一次阳极氧化制备的AAO的
2011年05月25日 更新以金属铝为阴极材料,以3mol·L-1浓度的NH4NO3水溶液为电解液,采用非对称电极阴极等离子体电解方法制备出氧化铝纳米颗粒.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线能量色散谱(EDX)、X射线衍射(
2011年05月25日 更新采用硅烷偶联剂对纳米Al2O3进行表面处理并在聚酰亚胺(Polyimide)基材表面制备出纳米氧化铝增强有机硅涂层。用热阴极灯丝放电产生的氧等离子体来模拟原子氧环境,研究了有机硅涂层的质量损失、表面形貌及化学成分的变化。结果
2011年05月25日 更新引用嵌段共聚物作软模板剂和乙醇作结构调节剂来制备介孔氧化铝,结合XRD、SEM、N2吸附对的产物形貌、比表面积、孔容、孔径进行分析。通过UV紫外分光光度计检测样品对有机污染物(如刚果红)的分离能力。
2011年05月25日 更新文章主要简要介绍了氧化铝焙烧工艺过程的控制指标及要求,并着重介绍了该过程回路的控制策略,其中以焙烧炉温控制回路为例,提出流量-温度串级控制方案。
2011年05月25日 更新研究了多孔氧化铝薄膜的制备工艺以及影响其成孔效果的主要因素。采用分步阳极氧化的方法和适当的工艺步骤获得了孔洞分布均匀、孔径一致且耐水合的多孔氧化膜,此类氧化薄膜在经过后续的特殊处理后可以用于制备湿度传感器和AAO薄膜。
2011年05月25日 更新采用固态粒子烧结法制备氧化铝管式陶瓷膜中的过渡层,以正交实验法系统研究过渡层配方的三种原料:三氧化二铝(Al2O3),聚乙烯醇(PVA),烧结助剂二氧化锆(ZrO2)各自质量分数以及涂膜次数对氧化铝陶瓷膜过渡层料液通量的影响
2011年05月25日 更新
