氧化铝可用作催化剂,也是催化剂的优良载体。文章论述了氧化铝在水热环境下发生的水合作用及危害,介绍了水合作用的原因,探讨了提高氧化铝抗水合性能的方法。最后指出深入、系统研究氧化铝水合的原因才是解决这一问题的根本。

碳化硅是一种宽带隙(2.3～3.3 eV)的半导体材料,具有良好的化学稳定性和导热性,同时它也具有优异的机械性能,如高强度、高硬度、耐摩擦等.因此,碳化硅纳米材料在功能陶瓷、光电工业、高温半导体工业、纳米复合材料、光催化领域

以ZrSiO4、Al2O3、高岭土为主要原料,长石等作为烧结助剂,在1220～1340℃之间制备出了致密的ZrSiO4-Al2O3(5～43 wt%Al2O3)复相陶瓷。研究了Al2O3含量、烧结温度对复相陶瓷显微结构及力学

利用自制的氧化槽,结合恒压二次氧化的方法制备出有序的氧化铝模板,每个氧化槽每次可以制备2～4个模板,而且制备步骤简化,极大提高了氧化铝模板的制备效率.采用恒压直流电沉积方法在制备的氧化铝模板的孔中成功组装出了钴纳米线阵列,并

碳化硼(B4C)是重要的超硬材料,B4C陶瓷是高性能的工程陶瓷材料,采用亚微米级超细粉体原料是制备碳化硼陶瓷良好性能的关键。本文采用砂磨工艺制备亚微米B4C超细粉体,对砂磨工艺的球料比、料水比和分散剂用量等工艺参数进行了考察

以硝酸钡和自制的二氧化钛悬浮液为原料,采用非均相共沉淀法合成了BaTi2O5前驱体粉体,然后将前躯体在一定温度下煅烧得到BaTi2O5无铅压电陶瓷粉体。对产物进行IR,XRD和SEM分析。结果表明:前躯体在1 100oC下煅

采用高能球磨法在800℃保温2h预烧合成MgNb2O6粉体,研究了MgNb2O6陶瓷的相结构、显微结构和微波介电性能随烧结温度的变化关系。实验结果表明,高能球磨法有效促进MgNb2O6粉体的低温合成,降低MgNb2O6陶瓷的

一维纳米材料在光学、电学、磁学等领域有着广阔的应用前景。采用二次阳极氧化法,结合逐级降压法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板,然后在其上交流电沉积了单晶镍纳米线阵列。利用SEM,XRD,TEM等对镍纳米线阵列的形貌和结构进行

以拜耳法的生产流程为基础,应用中铝国际沈阳铝镁设计研究院专有的大型计算机软件及现代计算机技术,针对拟定矿区的三水铝石型红土铝土矿,对影响拜耳法生产经济性的供矿铝硅比(A/S)、溶出赤泥A/S和溶出液αk对氧化铝生产成本、生产

综述了各种因素,如高白氢氧化铝产品的粒度、铝酸钠溶液的质量、碳分二氧化碳气体质量、氧化铝洗涤工艺等,对高白氢氧化铝粉体色度的影响。在生产高白氢氧化铝时首先要保证原材物料的稳定和纯净,其次要制备出合适的粒度和粒度分布。