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突发!关键半导体材料断供!氧化铝等材料亟需突破!
993 2025-07-05

中国粉体网讯  近日,半导体行业传来一则重磅消息:CMP(化学机械抛光)抛光液大厂日本AGC(原旭硝子株式会社)出现断供情况。据悉,其Fab1 DSTI slurry(料号:M2701505,AGC - TW)已暂停供货,这一突发状况引起了业内人士的关注。


图片来源:AGC


分析指出,此次断供的直接原因是中国台湾地区针对半导体关键化学品的最新出口审查政策,要求对特定高端材料出口进行更严格管控,涉及先进制程所需的部分型号产品。而AGC在台设有生产基地,主要面向亚洲市场供货。


受此影响,下游部分大陆晶圆厂紧急评估替代方案,部分开始加大从其他海外供应商及国产品牌采购,但短期内可能仍面临供应紧张。


CMP,晶圆“超平整舞台”


随着集成电路技术的发展,特别是进入亚微米工艺之后,由于特征尺寸的减小和高密度器件的实现,集成电路材料层之间的平坦度变得越来越关键,对半导体衬底的超精密表面处理效率和表面质量的要求也越来越高。


当前,化学机械抛光技术(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是唯一可以实现全局平坦化的关键技术,随着集成电路元件的最小特征尺寸缩小到 7nm甚至 5nm,CMP 技术在过去的几十年中得到了突飞猛进的发展,其抛光工艺已达到纳米级,被广泛应用于半导体加工制程,成为纳米级集成电路制造的标准过程,促进了集成电路技术和摩尔定律的稳步发展。


在半导体制程中,CMP用于将晶圆表面研磨到极高平整度,为随后的光刻、蚀刻等环节打好基础,是先进芯片制造流程中的关键步骤。


关键材料亟需突破


CMP工艺主要是通过抛光液和待抛光材料之间的化学反应、抛光液中的磨粒和待抛光材料之间的机械作用,使得材料去除并获得表面全局平坦化。


CMP工艺原理图


因此,抛光液是CMP工艺的核心耗材之一,其性能直接影响抛光效率和芯片表面质量。


目前全球CMP抛光液市场高度集中,美、日厂商市占率合计超过80%,其中高端型号更是以日本企业为主。尽管国内已有部分企业在低端和中端产品实现替代,但中高端产品自给率仍不足 20%,国产替代需求迫切。


目前中高端抛光液自主可控能力不足很大一部分源自关键材料尚未完全实现国产化,以抛光液磨料为例,在CMP中,Al2O3SiO2 CeO2是最为常用的三种磨料,它们负责提供机械力实现晶圆表面材料的去除,是CMP抛光液的关键原材料。


然而,国内抛光液企业主要集中在成品抛光液的生产上,在核心磨料生产能力方面仍在努力追赶,高端磨料颗粒主要依赖国外进口,这是制约我国抛光液实现全产业链自主可控的关键一环。


小结


据悉,中芯国际、华虹半导体等企业的14nm及以下产线,单月抛光液消耗量超千吨,断供可能导致产线停产风险。某头部晶圆厂透露,抛光液库存通常仅维持1-2个月,若断供持续,Q3产能或缩减10%,形势非常紧急。


此次断供事件警示我们,供应链安全不仅关乎设备和芯片本身,抛光液等关键耗材以及高纯氧化铝等其上游基础材料同样是“卡脖子”环节。半导体材料环节必须加速降低对外依赖风险,否则类似困境可能再次上演,阻碍我国半导体产业的长远发展。


信息来源:半导体封测、微电子制造等


(中国粉体网/山川)

注:图片非商业用途,存在侵权告知删除