日本东洋铝公司成功地开发出一种新型的AlN粉末，它比原来的产品烧结性更好，成形体的热传导率等特性都有提高。最近在东京召开的“国际陶瓷综合展会”上开始销售这种新产品。在该公司的日野工厂（滋贺县蒲生郡）年产40吨的设备已投产，视需求情况也可在年内增强生产能力，追赶世界居首位的德山公司。

　　AlN的导热度比氧化铝高10倍，热膨胀率近似半导体硅，由于它的这些特性，使它作为大功率晶体管、高密度IC的基板材料，从上世纪80年代中期就引人注目，可是因其成本和可靠性等问题，需求怎么也没有增加。但最近不仅半导体基板而且在半导体制造装置用零件等方面需求扩大了。

　　该公司的AlN粉是以本公司生产的高纯度的喷雾AlN粉为原料用直接氮化法制造的。比氧化铝的碳还原氮化法量产性好，但杂质、粒度等质量方面较差。为此，通过改进方法，可以控制氧等杂质和粒度。