氮化硅基多孔陶瓷的孔隙结构控制
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2012-08-03
编号：TCHY00138
篇名： 氮化硅基多孔陶瓷的孔隙结构控制
作者： 陈斐； 马玲玲； 沈强； 张联盟；
关键词：Si3N4多孔陶瓷； 成孔剂； 孔隙结构控制；
机构：武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室；
摘要： 氮化硅多孔陶瓷的孔隙率、孔径的调节与孔隙结构的控制主要是通过改变粉料颗粒配比、料浆浓度、成形密度和烧结工艺来实现的,得到的材料多以β-Si3N4为主相,对α-Si3N4多孔陶瓷材料的研究较少。本实验以磷酸锆为结合剂并添加不同成孔剂低温常压烧结制备以α-Si3N4为主相、孔隙可控的氮化硅基多孔陶瓷,孔隙率范围30%~70%,抗弯强度16~108MPa。
