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烧结方法对AlN陶瓷微观形貌及热导率的影响
736 2012-08-03
编号:TCHY00136
篇名: 烧结方法对AlN陶瓷微观形貌及热导率的影响
作者: 瞿志学; 王群; 张延超;
关键词:AlN陶瓷; 烧结方法; 微观形貌; 热导率;
机构:北京工业大学;
摘要: 采用真空烧结、N2保护无压烧结、放电等离子烧结等方法对AlN粉末进行烧结,研究烧结方法对粉体烧结行为以及产物物相组成、微观形貌及热导率的影响。结果表明:真空烧结会显著降低AlN材料的脱氮分解温度,无法实现其致密化;而通过N2保护无压烧结和放电等离子烧结的方法均能得到结构致密、热导率较高的AlN陶瓷,其中后者的烧结温度更低、制得陶瓷样品的致密度和热导率更高,在1650℃保温10min即可烧结得到热导率为121.5W·m-1·K-1的AlN陶瓷。
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