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水基冷冻干燥工艺制备层状结构多孔SiC陶瓷
758 2012-08-01
编号:TCHY00127
篇名: 水基冷冻干燥工艺制备层状结构多孔SiC陶瓷
作者: 徐照芸; 罗民; 王怀昌; 梁斌; 宋伟明;
关键词:冷冻干燥工艺; 多孔SiC陶瓷; 层状孔结构; 原位反应烧结;
机构:宁夏大学化学化工学院能源化工重点实验室;
摘要: 以微米级SiC粉体为原料,利用冷冻干燥和原位反应烧结制备了具有层状孔道结构的SiC多孔陶瓷。XRD分析表明多孔陶瓷的主相是α-SiC,结合相是方石英;SEM观察到多孔陶瓷具有相互连通的开孔结构;多孔SiC陶瓷的总孔隙率和开孔隙率随固相含量和烧结温度的增加而下降。多孔陶瓷的孔径分布呈现双峰分布特点,大孔孔径峰值介于20~80μm,小孔孔径峰值为0.5~0.9μm。在原位反应烧结过程中,在1100℃以上SiC开始发生氧化形成SiO2结合的多孔SiC陶瓷,显著提高了陶瓷的压缩强度。随着烧结温度从1000℃提高到1500℃,固相含量为30vol%的多孔SiC陶瓷开孔率从68.9%下降到61.8%,压缩强度由5.5 MPa升至25.5 MPa。
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