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基于包混和复合添加工艺的多孔碳化硅陶瓷的制备和性能(英文)
840 2012-07-27
编号:TCHY00121
篇名: 基于包混和复合添加工艺的多孔碳化硅陶瓷的制备和性能(英文)
作者: 赵宏生; 刘中国; 杨阳; 刘小雪; 张凯红; 李自强;
关键词:碳化硅; 多孔陶瓷; 包混; 复合添加剂;
机构:清华大学核能与新能源技术研究院;
摘要: 采用包混工艺合成核-壳结构的硅-树脂先驱体粉体,引入Al2O3-SiO2-Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备多孔碳化硅陶瓷。分析多孔碳化硅陶瓷样品的物相、形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数和抗热震性能。结果表明:复合添加能够在较低的温度下制得多孔碳化硅陶瓷;陶瓷样品的晶粒较小,明显增强了多孔碳化硅陶瓷的导热性能;复合添加提高了碳化硅陶瓷的抗热震性能,添加Al2O3-SiO2-Y2O3并且在1650℃下烧结制备的多孔碳化硅陶瓷经过30次热震后的抗弯强度损失率为6.5%;陶瓷样品的孔壁更加光滑,孔分布更均匀;复合添加对多孔碳化硅陶瓷热膨胀系数的影响较小。
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