编号：TCHY00120
篇名： 低介电常数多孔氮化硅陶瓷材料的制备
作者： 吕艳红； 王洪升；
关键词：介电常数； 多孔陶瓷； 氮化硅；
机构：山东工业陶瓷研究设计院；
摘要： 采用有机泡沫前躯体浸渍工艺制备了低介电、低密度的氮化硅陶瓷。以氮化硅粉体为主要原料,制备粘度和流动性合适的水基料浆,并以软质聚氨酯泡沫塑料为载体,在真空状态下浸渍,然后在氧化气氛下排塑,在氮气气氛下烧结,得到了低介电常数的多孔氮化硅陶瓷材料。所制备的材料性能可达到:容积密度为0.12g/cm3、介电常数为1.15、介电损耗为4×10-4。通过XRD,SEM研究了试样在热处理过程中的物理、化学变化,烧结体的物相组成及其显微结构。