编号：CYYJ04483
篇名： 氮化硅添加量对氧化镁材料制备及性能影响
作者： 周张燕1；洪梦金1,2；马北越1；李广明3；张呈呈3；赵广义4
关键词： 氧化镁材料; 氮化硅; 烧结性能; 强度; 抗热震性; 电绝缘性能;
机构：1.东北大学冶金学院多金属共生矿生态化冶金教育部重点实验室2.辽宁思达特镁业有限公司3.大石桥市美尔镁制品有限公司4.辽宁科之镁新材料研究有限公司
摘要： 以轻烧氧化镁为原料，以氮化硅为添加剂，以电绝缘领域应用中常用电熔氧化镁为参照标准，采用埋碳烧结法制备了低成本高性能烧结氧化镁材料。系统研究了氮化硅添加量对氧化镁材料的物相组成、微观结构、体积密度、显气孔率、力学性能、抗热震性能、氧化行为的影响，并对最佳组分进行了电学性能表征。结果表明：当Si3N4添加量为1%时，1 600℃下高温烧结反应3 h制备的试样综合性能最佳，体积密度为2.79 g/cm3，显气孔率为19.27%，线收缩率13.31%，常温耐压强度为88.56 MPa；经1 100℃空冷3次后的残余强度保持率为90.40%。将其应用于电热元件时，1SN样品表现出与传统电熔氧化镁相当的电绝缘性能，绝缘电阻超过100 G，室温泄漏电流为0.17 mA，使用温度下泄漏电流仅为0.05 mA，具有优异的电绝缘性能。