以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的

环氧树脂(epoxy resin, EP)以其粘附力强、绝缘性能好等优点,在电气领域中得到广泛应用。但环氧树脂的低热导率限制其在器件中的使用,尤其在高频条件下。文中通过多巴胺改性微米氮化硼和纳米氧化铝,将制备的微纳米二元填料

以熔盐法制备了片状氧化铝、以喷雾干燥法制备了球形氮化硼,以二者为填料、二甲基硅油为基体制备了导热膏。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射仪对制备的粉体进行了表征,研究了片状氧化铝和球形氮化硼的添加量对提升导热膏的导

颗粒污染在集成电路制造工艺中会引起严重的缺陷,会对后续光刻对位造成影响,甚至会导致电路性能下降、使用寿命缩短。尤其是在深亚微米集成电路制造工艺中,颗粒污染对产品良率的影响就更为严重了。在炉管低压化学气相淀积(LPCVD)工艺

通过对比分析普通石膏模注浆成形、微压注浆成形、振动注浆成形3种成形工艺在氮化结合碳化硅脱硫喷嘴成形过程中的优缺点,以及3种成形工艺坯体密度和试样抗弯强度变化,确定了氮化硅结合碳化硅最佳成形工艺。同时深入研究了振动时间对振动注

以α-Si3N4粉为原料,纳米级Y2O3和Al2O3为烧结助剂,采用气压烧结工艺制备氮化硅陶瓷球,研究了烧结助剂含量对氮化硅陶瓷球致密化及力学性能的影响。结果表明:随着烧结助剂含量的增加,氮化硅陶瓷球的相对密度逐渐增大,维氏

面对日益匮乏的陶瓷原料,利用固体废弃物来制备发泡陶瓷已是当今趋势。以粉煤灰为主要原料,研究铬渣掺量、碎玻璃掺量和粉磨工艺对粉煤灰发泡陶瓷的影响。结果表明,掺入适量的铬渣可改善粉煤灰发泡陶瓷的性能,小掺量的碎玻璃对粉煤灰发泡陶

以Si C、炭黑和热固性酚醛树脂为主要原料,配制成Al粉外加量分别为0和4%(w)的两种试样,经混料、成型、180℃固化、800℃炭化后,在石墨坩埚中用单质Si掩埋,在真空条件下分别经1 550、1 600、1 650和1

以α-Al 2O 3微粉和SiO 2微粉为原料,勃母石(γ-AlOOH)溶胶为结合剂,十二烷基硫酸钠(SDS)为发泡剂,采用发泡法制备氧化铝-莫来石多孔陶瓷。研究了勃姆石溶胶掺量(w)为1%、2%、4%、5%、6%、8%,发

目的:应用3D打印技术及致孔剂浸出法制备具有两种不同尺度孔隙的磷酸镁多孔支架,研究其物理化学性能及骨诱导能力。方法:通过间接打印法制备多孔磷酸镁(MgP)支架,利用Na Cl(粒径25~50μm)作为致孔剂引入微孔,制备Mg