中国粉体网讯  氮化硅陶瓷基板是一种先进的陶瓷材料，通过热压或烧结高纯度氮化硅粉末制成具有优异热性能和机械性能的薄平板。氮化硅陶瓷基片弹性模量为320GPa，抗弯强度为920MPa，热膨胀系数仅为3.2×10-6/°C，介电常数为9.4，具有硬度大、强度高热膨胀系数小、耐腐蚀性高等优势。

由于氮化硅陶瓷晶体结构复杂，对声子散射较大，因此早期研究认为其热导率低，如氮化硅轴承球、结构件等产品热导率只有15W/(m·K)~30W/(m·K)。但是，通过研究发现，氮化硅材料热导率低的主要原因与晶格内缺陷、杂质等有关，并预测其理论值最高可达320W/(m·K)。之后，在提高氮化硅材料热导率方面出现了大量的研究，通过工艺优化，氮化硅陶瓷热导率不断提高。

此外，与其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷材料具有明显优势，尤其是在高温条件下氮化硅陶瓷材料表现出的耐高温性能、对金属的化学惰性、超高的硬度和断裂韧性等力学性能。氮化硅陶瓷的抗弯强度、断裂韧性都可达到AlN的２倍以上，特别是在材料可靠性上，氮化硅陶瓷基板具有其他材料无法比拟的优势。

氮化硅陶瓷基板正受益于强劲的结构性市场趋势，尤其是交通运输的快速电气化。全球电动汽车向碳化硅基功率模块的转变是主要的需求驱动力，因为这些设备需要能够承受高电压、快速开关和高热应力的基板。可再生能源逆变器和工业应用提供了额外的增长机会，但与汽车行业相比，它们的需求仍然处于次要地位。

半导体及电子信息产业的快速发展对核心材料的性能提出了更高的要求。电子陶瓷作为具有电、磁、热、机械等多功能耦合特性的关键基础材料，广泛应用于电容器、滤波器、传感器及封装基板等核心元件。其中，陶瓷基板是电子陶瓷在功率半导体封装领域的重要产品形态，其导热性能、机械强度、可靠性和精密程度直接决定了终端产品的性能与寿命。针对陶瓷基板/电子陶瓷材料设计、制备工艺、性能检测、应用场景等核心议题，中国粉体网将于2026年7月17日在江苏无锡举办第二届高性能陶瓷基板关键材料技术大会暨电子陶瓷技术创新峰会。届时，宜宾红星电子有限公司副总工、基板事业部总经理赵海龙将作题为《高热导氮化硅陶瓷基板技术发展趋势》的报告，报告将围绕高热导氮化硅基板的应用市场以及技术发展趋势进行相关介绍。

专家简介：

赵海龙，宜宾红星电子有限公司副总工，基板事业部总经理，正高级工程师，四川省科技进步一等奖获得者，国家发明专利优秀奖获得者，作为项目负责人，承担过十余项国拨资金项目。

参考来源：

中国粉体网、恒州博智

（中国粉体网编辑整理/山林）

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