中国粉体网讯  5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶，这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯，厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍，单片成本较原来降低70%，有效提高企业盈利能力。此批次晶体呈现出微凸的形貌，表面光滑无明显缺陷。

中心厚度超过80mm，最低厚度超62mm的6英寸碳化硅单晶

据介绍，科友半导体基于自研电阻炉，通过借鉴溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生长高厚度晶体的限制，充分利用了PVT法单晶稳定生长的优势，将两种制备方法的优势成功结合到一起。大厚度晶体的成功制备标志着科友半导体突破了大厚度碳化硅单晶生长的关键技术难题，向大尺寸碳化硅衬底低成本量产迈出了坚实一步，进一步彰显出电阻加热式长晶炉在替代传统感应炉、推动衬底成本持续降低方面的巨大潜力。

同时，科友半导体基于先进的热场设计实现了适宜的温度梯度，有效削弱了生长室内的轴向温度梯度与径向温度梯度之间的耦合效应，实现了均匀温场条件下的轴向温度梯度改善，获得了平微凸形貌的单晶生长，大幅减少了单晶内部应力以及因应力引起的缺陷增殖。

（中国粉体网编辑整理/空青）

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