B位离子共沉-煅烧法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3微波陶瓷材料
3141
1970-01-01
编号:CPJS00044
篇名: B位离子共沉-煅烧法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3微波陶瓷材料
作者: 杨传仁 秦广宇 周大雨 游文南
关键词:钽镁酸钡微波陶瓷,共沉法,湿-干结合技术,钽酸镁粉体,钽酸钡杂相
机构:电子科技大学信息材料工程学院
摘要: 采用钽镁共沉淀法制备MgTa2O6粉体,然后与BaCO3粉体混合制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)微波陶瓷材料.成功地解决了TaCl5溶解问题.对钽镁共沉条件和粉体热分解工艺与粉体的平均粒径和钽镁比例关系;BMT陶瓷制备工艺与材料的微观结构和微波性能关系进行了研究.制备的MgTa2O6晶相粉体平均粒径为0.3μm,最大与最小粒径比为5.制备的BMT陶瓷几乎不含BaTa2O6等杂相,无载Q值可达5400(10GHz下).