编号：CYYJ04470
篇名： Sm2O3-YF3对无压烧结氮化铝陶瓷性能的影响
作者： 贺逸轩1；汪小红1；吕文中2；姜海3
关键词： AlN; Sm2O3; YF3; 无压烧结; 热导率; 弯曲强度;
机构：1.华中科技大学集成电路学院2.华中科技大学光学与电子信息学院3.宁波大学物理科学与技术学院
摘要： 基于无压烧结条件下制备兼具高热导率及高弯曲强度AlN陶瓷的需求，采用新型二元烧结添加剂Sm2O3与YF3，通过无压烧结制备了含有Sm2O3（添加含量为0.3～6.5 wt%）的AlN陶瓷，并比较了两步烧结法与传统工艺的不同影响。结果表明AlN陶瓷中的第二相为SmAlO3，两步烧结的添加6.5 wt%Sm2O3-1 wt%YF3的AIN陶瓷综合性能最佳，其热导率为176.9 W·m-1·K-1，弯曲强度为368.6 MPa。Sm2O3的引入会与AlN中的Al2O3反应产生液相，促进AlN的致密化、抑制晶粒生长并起到除氧作用。相较于传统的烧结方法，两步烧结法不仅减少了陶瓷中的第二相的含量，还促进第二相向三叉晶界分布，进而显著提高了热导率；与此同时第二相分布的变化还可调控AlN陶瓷的弯曲强度。