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锆钴贮氚材料的表面氧毒化机制研究
208 2024-12-19
编号:CYYJ043460
篇名: 锆钴贮氚材料的表面氧毒化机制研究
作者: 魏纪源 兰越景 叶荣兴 王劲川 张斌精 王国亮 周琳森 宋江锋
关键词: 原子与分子物理 毒化机制 第一性原理 氧 ZrCo合金表面
机构:火箭军工程大学 中国工程物理研究院材料研究所
摘要: 针对氢气中存在的含氧杂质气体使ZrCo合金贮氢性能严重下降的问题,采用第一性原理方法,研究O2在稳定ZrCo(110)表面的吸附作用,分析了O2杂质气体对ZrCo表面的毒化作用。结果表明:O2在ZrCo(110)表面自发解离吸附,产物氧原子占据表面的活性位点后,减弱邻近位置H2分子的吸附稳定性、提高其解离势垒;O2在ZrCo(110)表面的吸附显著影响氢原子的吸附和扩散行为,降低了O邻近位置的氢吸附概率,促使氢原子向远离吸附氧的方向迁移扩散,也提高了氢从表面渗透到次表面的能垒;随着表面的吸附氧覆盖度提高,对氢的吸附作用逐渐减弱,最终导致ZrCo表面吸氢的性能严重降低。
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